英特爾提交德國新建晶圓廠示意圖：安裝HighNAEUV光刻機，2027Q4投入使用
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編輯 : 大寶
發布 : 03-03
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去年6月，英特爾與德國聯邦政府達成了協議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書，計劃投資超過300億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國聯邦政府已同意提供100億歐元補貼，包含了來自《歐洲芯片法案》和來自政府的激勵措施及補貼。據HardwareLuxx和Heise.de報道，英特爾已經提交了德國新建晶圓廠的示意圖，顯示初期為兩座晶圓廠Fab 29.1和Fab 29.2，將安裝世界上最先進的半導體工具，英特爾還留有足夠的空間，最多能再興建另外六座晶圓廠。預計首批兩座晶圓廠會在2027年第四季度投入運營，Intel 14A和Intel 10A兩個先進的制程節點相信都在計劃之內。Fab 29.1和Fab 29.2占地約8.1萬平方米，總長度為530米，寬度為153米，每層高度在5.7至6.5米之間，共三層，加上用于空調和供暖的屋頂結構，建筑物高度達到了36.7米。其中High-NA EUV光刻機會安裝在層高為6.5米的第二層，上下兩層用于材料物流，提供必要的資源，比如水、電和化學品。根據ASML提供的模型，第一代支持High-NA的生產節點將使用4-9次High-NA EUV曝光和總共20-30次EUV曝光。除了兩座晶圓廠，園區內還有眾多支持建筑，包括冷卻器和沸騰器（BC1）、倉庫（WH1）、超純水儲存（PB1）、特殊氣體儲存（BG1）、空氣分離廠 （AU1）、辦公樓（OB1）、服務大樓（SB1）、數據中心（DC1）、廢水預處理大樓（WT1）、堿性廢水預處理（NH4W）、以及停車場（PK1）。Fab 29將采用380千伏高壓供電并包含獨立的供電站，英特爾計劃使用電池儲能系統來代替傳統的柴油發電機作為備用電源，強調了其對可持續性的承諾。Fab 29所在的新修建道路將以著名物理學家和計算先驅Ada Lovelace Chaussee的名字命名，與英偉達現有的游戲GPU架構同名。
